Транзистор кт838а технические характеристики

Данный транзистор КТ838А в своем корпусе имеет содержание драгметаллов. Транзисторы КТ838А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.

Предназначены для применения в каскадах горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств. Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.

Фото:

Транзистор кт838а технические характеристики

КТ838А: содержание драгметаллов

Золото: 0,0007237 грамм

Данный о содержании драгоценных металлов взяты из справочника: "Содержание драгоценных металлов в электротехнических изделиях, аппаратуре связи, контрольно-измерительных приборах, кабельной продукции, электронной и бытовой технике. Информационный справочник в шести частях. Часть 1. Изделия и элементы общепромышленного назначения. — 2-е изд., перераб. и доп. -М.: ООО "Связьоценка", 2003"

Цена: около 230 рублей за штуку.

Характеристики транзистора КТ838А

Основные технические характеристики транзистора КТ838А:

  • Структура транзистора: n-p-n;
  • Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
  • fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
  • Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
  • Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
  • Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
  • Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
  • h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
  • Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
  • Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Параметры транзистора КТ838

ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
КТ838АBU204, BU706D *1 , BU706 *1 , BU506D *1 , BU506, 2SD380, BU506DF *1 , 2SD1738 *1 , 2SD1737 *3 , S518T *2
КТ838БBU208, STI13006 *1 , SGSF425 *3 , SGSF424 *3 , SGSF324 *3 , BU207 *2
Структураn-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P * K, τ max,P ** K, и maxКТ838А90 °C12.5*Вт
КТ838Б12.5*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f * h21б, f ** h21э, f *** maxКТ838А≥3МГц
КТ838Б≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U * КЭR проб., U ** КЭО проб.КТ838А1500В
КТ838Б1200
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб.,КТ838А5; 7В
КТ838Б5; 7
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I * К , и maxКТ838А5(7.5*)А
КТ838Б5(7.5*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I * КЭR, I ** КЭOКТ838А1500 В≤1*мА
КТ838Б1200 В≤1*
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э, h * 21ЭКТ838А(5 В; 3.5 А)≥4*
КТ838Б(5 В; 3.5 А)≥4*
Емкость коллекторного переходаcк, с * 12эКТ838А10 В170пФ
КТ838Б10 В170
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттеромrКЭ нас, r*БЭ нас, К ** у.р.КТ838А≤1.1Ом, дБ
КТ838Б≤1.1
Коэффициент шума транзистораКш, r * b, P ** выхКТ838АДб, Ом, Вт
КТ838Б
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас, t ** выкл, t *** пк(нс)КТ838А≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкспс
КТ838Б≤10* мкс; tсп≤1.5; ≤10* мкс
Читайте также:  Встроенные настенные смесители для раковины

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

В характеристиках кремниевого транзистор КТ838А указано что изготавливается он по мезапланарной технологии и применяется в каскадах строчной развертки телевизоров. Его структура n-p-n. Также его можно встретить в схемах видоеконтрольных устройств. Весит данный транзистор не более 20г, а выпускает его акционерное общество «Кремний» город Брянск.

Распиновка

Цоколевка КТ838А выполнена в металлическом корпусе типа КТ-9 (ТО-3) с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. На рисунке ниже представлена схема расположения выводов данного транзистора: 1 — база, 2 — эмиттер, 3 — коллектор.

Транзистор кт838а технические характеристики

Характеристики

Основные технические параметры кт838а:

  • Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная) при использовании теплоотвода при температуре от -45 0 С до +25 0 С — 12,5 Вт.
  • Статический коэффициент передачи тока (при Uкэ=5 В, Iк=50 мА) не менее — 6.
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=20В, Iк=0,3А не менее — 3 МГц.
  • Предельно допустимое напряжение коллектор-база — 1500 В.
  • Предельно допустимый постоянный ток коллектора — 5 А.
  • Обратный ток коллектор-эмиттер (при Тк = +25 0 С, Uкэ=1500 В, Uбэ=0) — 1 мА.
  • Типовое значение емкости коллекторного перехода при Uкб=170 пФ

Представленные значения даются самим производителем. При работе устройства в этих приделах гарантируется его целостность и долговечность. Ниже представлены все значение которые взяты из документации компании АО «Кремний».

Транзистор кт838а технические характеристики

Также у транзистора кт838а есть предельные значения, которые он может выдержать разово в короткий промежуток времени, если при неоднократном измерении одного из указанных параметров у вас любой из них совпадают или превышают значение из таблицы, то стоит проверить всю схему на неисправность.

Читайте также:  Каре на одну сторону с челкой фото

Транзистор кт838а технические характеристики

Особенности монтажа

При пайке расстояние от корпуса транзистора до места пайки должно быть от 5 мм и более. Температура жала паяльника более +250 0 С, время пайки менее 3 с.

Аналоги

Наиболее подходящими для замены зарубежными аналогами кт838а являются транзисторы BU204, BU2506DF, 2SD380. Существуют также аналоги его с другим типом корпуса: BU2506DF, BU706D, BU706, BU506D, BU506, BU506DF, 2SD1738.

Производитель

Выпускает данное изделие акционерное общество «Кремний» г. Брянск. Одним из крупных поставщиков транзистора является компания «Вертекс».

Применение

На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.

Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.

При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.

Транзистор кт838а технические характеристики

Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.

Читайте также:  Воздух нагревали в сосуде постоянного объема

В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см 2 .

Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.

Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.

Также» можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»

>